DMN3150L-7 DIODES/ZETEX
Виробник: DIODES/ZETEX
N-MOSFET 30V 3.8A 85mΩ 1.4W DMN3150L-7 Diodes TDMN3150l
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 380 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 3.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3150L-7 DIODES/ZETEX
Description: MOSFET N-CH 28V 3.8A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 5 V.
Інші пропозиції DMN3150L-7 за ціною від 4.78 грн до 38.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN3150L-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 28V 3.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 5 V |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN3150L-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Channel |
на замовлення 26190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN3150L-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 15A; 1.4W; SOT23 Case: SOT23 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar On-state resistance: 54mΩ Power dissipation: 1.4W Drain current: 3.1A Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 15A Drain-source voltage: 30V Kind of package: 7 inch reel; tape |
на замовлення 2845 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN3150L-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 28V 3.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 5 V |
на замовлення 44715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| DMN3150L-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 28V 3.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 5 V
Description: MOSFET N-CH 28V 3.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 5 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.75 грн |
| 6000+ | 7.67 грн |
| 9000+ | 7.29 грн |
| 15000+ | 6.43 грн |
| 21000+ | 6.19 грн |
| 30000+ | 5.96 грн |
| DMN3150L-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Channel
MOSFETs N-Channel
на замовлення 26190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 28.22 грн |
| 19+ | 17.79 грн |
| 100+ | 10.20 грн |
| 500+ | 7.88 грн |
| 1000+ | 7.03 грн |
| 3000+ | 4.99 грн |
| 6000+ | 4.78 грн |
| DMN3150L-7 |
|
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 15A; 1.4W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 54mΩ
Power dissipation: 1.4W
Drain current: 3.1A
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 15A
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 15A; 1.4W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 54mΩ
Power dissipation: 1.4W
Drain current: 3.1A
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 15A
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 29.17 грн |
| 22+ | 19.55 грн |
| 100+ | 11.34 грн |
| 500+ | 7.87 грн |
| 1000+ | 6.94 грн |
| DMN3150L-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 28V 3.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 5 V
Description: MOSFET N-CH 28V 3.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 5 V
на замовлення 44715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.77 грн |
| 14+ | 23.16 грн |
| 100+ | 14.76 грн |
| 500+ | 10.42 грн |
| 1000+ | 9.32 грн |