Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3150L-7
DMN3150L-7

DMN3150L-7 Diodes Incorporated

ds31126.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 28V 3.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 5 V
на замовлення 1254000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.79 грн
6000+5.93 грн
9000+5.62 грн
15000+4.95 грн
21000+4.75 грн
30000+4.57 грн
75000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3150L-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN3150L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.4W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 920mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMN3150L-7 за ціною від 2.99 грн до 34.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3150L-7 DMN3150L-7 Виробник : DIODES INC. ds31126.pdf Description: DIODES INC. - DMN3150L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 920mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.85 грн
500+9.84 грн
1000+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3150L-7 DMN3150L-7 Виробник : Diodes Incorporated ds31126.pdf MOSFETs N-Channel
на замовлення 26190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.58 грн
19+19.28 грн
100+11.05 грн
500+8.54 грн
1000+7.62 грн
3000+5.41 грн
6000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3150L-7 DMN3150L-7 Виробник : Diodes Incorporated ds31126.pdf Description: MOSFET N-CH 28V 3.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 5 V
на замовлення 1255776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+32.15 грн
17+18.97 грн
100+11.99 грн
500+8.42 грн
1000+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3150L-7 DMN3150L-7 Виробник : DIODES INC. ds31126.pdf Description: DIODES INC. - DMN3150L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 920mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+32.74 грн
41+20.94 грн
100+13.85 грн
500+9.84 грн
1000+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3150L-7 Виробник : DIODES/ZETEX ds31126.pdf N-MOSFET 30V 3.8A 85mΩ 1.4W DMN3150L-7 Diodes TDMN3150l
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 380 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3150L-7 Виробник : DIODES INCORPORATED ds31126.pdf DMN3150L-7 SMD N channel transistors
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.06 грн
162+6.95 грн
444+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3150L-7 DMN3150L-7 Виробник : Diodes Inc 942ds31126.pdf Trans MOSFET N-CH 28V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.