DMN3150L-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 28V 3.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 5 V
на замовлення 2925000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.20 грн |
| 6000+ | 5.67 грн |
| 9000+ | 5.45 грн |
| 15000+ | 5.07 грн |
| 21000+ | 4.87 грн |
| 30000+ | 4.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3150L-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN3150L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.4W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 920mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMN3150L-7 за ціною від 2.92 грн до 35.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN3150L-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3150L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.4W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 920mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN3150L-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 15A; 1.4W; SOT23 Polarisation: unipolar On-state resistance: 54mΩ Power dissipation: 1.4W Drain current: 3.1A Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 15A Drain-source voltage: 30V Kind of package: 7 inch reel; tape Case: SOT23 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 2865 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN3150L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Channel |
на замовлення 26190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3150L-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3150L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 920mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3150L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 28V 3.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 5 V |
на замовлення 2929272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3150L-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 15A; 1.4W; SOT23 Polarisation: unipolar On-state resistance: 54mΩ Power dissipation: 1.4W Drain current: 3.1A Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 15A Drain-source voltage: 30V Kind of package: 7 inch reel; tape Case: SOT23 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2865 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMN3150L-7 | Виробник : DIODES/ZETEX |
N-MOSFET 30V 3.8A 85mΩ 1.4W DMN3150L-7 Diodes TDMN3150l кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 380 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
DMN3150L-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 28V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |