Продукція > DIODES INC > DMN3190LDW-13
DMN3190LDW-13

DMN3190LDW-13 Diodes Inc


dmn3190ldw.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3190LDW-13 Diodes Inc

Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 320mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363.

Інші пропозиції DMN3190LDW-13 за ціною від 3.61 грн до 27.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3190LDW-13 DMN3190LDW-13 Виробник : Diodes Zetex dmn3190ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3190LDW-13 DMN3190LDW-13 Виробник : Diodes Zetex dmn3190ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+5.05 грн
20000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3190LDW-13 DMN3190LDW-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN3190LDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 310000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+5.12 грн
20000+4.51 грн
30000+4.30 грн
50000+3.81 грн
70000+3.68 грн
100000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3190LDW-13 DMN3190LDW-13 Виробник : Diodes Zetex dmn3190ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+5.15 грн
20000+4.44 грн
50000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3190LDW-13 DMN3190LDW-13 Виробник : Diodes Zetex dmn3190ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+5.44 грн
20000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3190LDW-13 DMN3190LDW-13 Виробник : Diodes Zetex dmn3190ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+5.55 грн
20000+4.78 грн
50000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3190LDW-13 DMN3190LDW-13 Виробник : Diodes Zetex dmn3190ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1218+6.19 грн
3000+5.82 грн
6000+5.46 грн
15000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 1218
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3190LDW-13 DMN3190LDW-13 Виробник : Diodes Zetex dmn3190ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1828+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 1828
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3190LDW-13 DMN3190LDW-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0009645290_1-2543183.pdf MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss
на замовлення 36277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.89 грн
22+16.04 грн
100+6.39 грн
1000+5.21 грн
10000+4.70 грн
20000+4.33 грн
50000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3190LDW-13 DMN3190LDW-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN3190LDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 311796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.79 грн
19+16.74 грн
100+10.53 грн
500+7.35 грн
1000+6.53 грн
2000+5.83 грн
5000+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3190LDW-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3190LDW.pdf DMN3190LDW-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.