Технічний опис DMN3190LDW-13 Diodes Zetex
Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 320mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363.
Інші пропозиції DMN3190LDW-13 за ціною від 3.54 грн до 27.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN3190LDW-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 320mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 |
на замовлення 310000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN3190LDW-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3190LDW-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3190LDW-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3190LDW-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3190LDW-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3190LDW-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN3190LDW-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss |
на замовлення 36277 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3190LDW-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 320mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 |
на замовлення 311796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|