DMN3190LDW-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 320mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 5.06 грн |
| 20000+ | 4.46 грн |
| 30000+ | 4.25 грн |
| 50000+ | 3.77 грн |
| 70000+ | 3.64 грн |
| 100000+ | 3.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3190LDW-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363, Supplier Device Package: SOT-363, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 320mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції DMN3190LDW-13 за ціною від 3.63 грн до 27.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN3190LDW-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss |
на замовлення 36277 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3190LDW-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 Supplier Device Package: SOT-363 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 320mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 311796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|