на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3190LDW-7 Diodes Inc
Description: DIODES INC. - DMN3190LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 1 A, 1 A, 0.122 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.122ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 320mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.122ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 320mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMN3190LDW-7 за ціною від 3.71 грн до 29.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN3190LDW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 2490000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMN3190LDW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 2127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMN3190LDW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMN3190LDW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMN3190LDW-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3190LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 1 A, 1 A, 0.122 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.122ohm Verlustleistung, p-Kanal: 320mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.122ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 320mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 5734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMN3190LDW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 320mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 |
на замовлення 2496000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMN3190LDW-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3190LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 1 A, 1 A, 0.122 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.122ohm Verlustleistung, p-Kanal: 320mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.122ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 320mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 5734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMN3190LDW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.9A; Idm: 9.6A; 0.32W; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.9A Pulsed drain current: 9.6A Power dissipation: 0.32W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 413 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMN3190LDW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.9A; Idm: 9.6A; 0.32W; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.9A Pulsed drain current: 9.6A Power dissipation: 0.32W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 413 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMN3190LDW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss |
на замовлення 234732 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMN3190LDW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 320mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 |
на замовлення 2499475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMN3190LDW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 2127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
DMN3190LDW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R |
товару немає в наявності |