Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3190LDW-7
DMN3190LDW-7

DMN3190LDW-7 Diodes Incorporated

DMN3190LDW.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 2496000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.92 грн
6000+5.15 грн
9000+4.88 грн
15000+4.28 грн
21000+4.11 грн
30000+3.94 грн
75000+3.51 грн
150000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3190LDW-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 320mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363.

Інші пропозиції DMN3190LDW-7 за ціною від 6.37 грн до 27.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN3190LDW-7 DMN3190LDW-7 Diodes Incorporated DMN3190LDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 320mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
на замовлення 2499475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.12 грн
19+16.34 грн
100+10.28 грн
500+7.17 грн
1000+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3190LDW-7 DMN3190LDW-7 Diodes Incorporated DIOD_S_A0009645290_1-2543183.pdf MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss
на замовлення 234732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3190LDW-7 DMN3190LDW.pdf
DMN3190LDW-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 320mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
на замовлення 2499475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.12 грн
19+16.34 грн
100+10.28 грн
500+7.17 грн
1000+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3190LDW-7 DIOD_S_A0009645290_1-2543183.pdf
DMN3190LDW-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss
на замовлення 234732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.