DMN3190LDWQ-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.32 грн |
| 6000+ | 5.51 грн |
| 9000+ | 5.21 грн |
| 15000+ | 4.58 грн |
| 21000+ | 4.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3190LDWQ-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 320mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMN3190LDWQ-7 за ціною від 3.91 грн до 54.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN3190LDWQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT363 T&R 3K |
на замовлення 5969 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|