Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN31D5L-13
DMN31D5L-13

DMN31D5L-13 Diodes Incorporated

DMN31D5L.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 15 V
на замовлення 420000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+3.48 грн
30000+3.29 грн
50000+2.95 грн
100000+2.46 грн
250000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN31D5L-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMN31D5L-13 за ціною від 3.73 грн до 27.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN31D5L-13 DMN31D5L-13 Diodes Incorporated DMN31D5L.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 15 V
на замовлення 420000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.12 грн
17+17.76 грн
100+8.66 грн
500+6.78 грн
1000+4.71 грн
2000+4.08 грн
5000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN31D5L-13 DMN31D5L-13 Diodes Incorporated DMN31D5L.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 44165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN31D5L-13 DMN31D5L.pdf
DMN31D5L-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 15 V
на замовлення 420000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.12 грн
17+17.76 грн
100+8.66 грн
500+6.78 грн
1000+4.71 грн
2000+4.08 грн
5000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN31D5L-13 DMN31D5L.pdf
DMN31D5L-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 44165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.