DMN31D5L-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 3.52 грн |
| 30000+ | 3.33 грн |
| 50000+ | 2.99 грн |
| 100000+ | 2.49 грн |
| 250000+ | 2.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN31D5L-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 15 V.
Інші пропозиції DMN31D5L-13 за ціною від 2.93 грн до 27.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN31D5L-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 15 V |
на замовлення 420000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN31D5L-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V |
на замовлення 59850 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|