Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN31D5L-7
DMN31D5L-7

DMN31D5L-7 Diodes Incorporated

DMN31D5L.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 15 V
на замовлення 5316000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.58 грн
6000+4.09 грн
9000+3.39 грн
30000+3.13 грн
75000+2.81 грн
150000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN31D5L-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMN31D5L-7 за ціною від 2.68 грн до 29.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN31D5L-7 DMN31D5L-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN31D5L.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 15 V
на замовлення 5320042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.47 грн
17+17.99 грн
100+8.78 грн
500+6.87 грн
1000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN31D5L-7 DMN31D5L-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0006645120_1-2542905.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 4763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.12 грн
17+19.69 грн
100+7.04 грн
1000+4.86 грн
3000+3.77 грн
9000+2.83 грн
24000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN31D5L-7 Виробник : Diodes Inc dmn31d5l.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN31D5L-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN31D5L.pdf DMN31D5L-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.