Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN31D5UFO-7B
DMN31D5UFO-7B

DMN31D5UFO-7B Diodes Incorporated

DMN31D5UFO.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0604
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0604-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6 pF @ 15 V
на замовлення 490000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+2.69 грн
30000+2.55 грн
50000+2.29 грн
100000+1.90 грн
250000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN31D5UFO-7B Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN31D5UFO-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 410 mA, 1.2 ohm, X2-DFN0604, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 410mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380mW, Bauform - Transistor: X2-DFN0604, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMN31D5UFO-7B

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN31D5UFO-7B DMN31D5UFO-7B Diodes Incorporated DMN31D5UFO.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN0604-3 T&R 10K
на замовлення 9599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN31D5UFO-7B DMN31D5UFO-7B DIODES INC. 3168393.pdf Description: DIODES INC. - DMN31D5UFO-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 410 mA, 1.2 ohm, X2-DFN0604, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0604
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN31D5UFO-7B DMN31D5UFO-7B DIODES INC. 3168393.pdf Description: DIODES INC. - DMN31D5UFO-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 410 mA, 1.2 ohm, X2-DFN0604, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0604
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN31D5UFO-7B DMN31D5UFO.pdf
DMN31D5UFO-7B
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN0604-3 T&R 10K
на замовлення 9599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN31D5UFO-7B 3168393.pdf
DMN31D5UFO-7B
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN31D5UFO-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 410 mA, 1.2 ohm, X2-DFN0604, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0604
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN31D5UFO-7B 3168393.pdf
DMN31D5UFO-7B
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN31D5UFO-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 410 mA, 1.2 ohm, X2-DFN0604, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0604
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.