DMN31D5UFZ-7B Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 220MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 393mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.2 pF @ 15 V
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 6.38 грн |
| 20000+ | 5.66 грн |
| 30000+ | 5.41 грн |
| 50000+ | 4.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN31D5UFZ-7B Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN31D5UFZ-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 220 mA, 1.5 ohm, X2-DFN0606, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 220mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 393mW, Bauform - Transistor: X2-DFN0606, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMN31D5UFZ-7B за ціною від 5.79 грн до 35.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN31D5UFZ-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN31D5UFZ-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 220 mA, 1.5 ohm, X2-DFN0606, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 393mW Bauform - Transistor: X2-DFN0606 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN31D5UFZ-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN31D5UFZ-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 220 mA, 1.5 ohm, X2-DFN0606, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 393mW Bauform - Transistor: X2-DFN0606 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN31D5UFZ-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 220MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 393mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0606-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.2 pF @ 15 V |
на замовлення 181117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN31D5UFZ-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode FET 12Vgss 1.05W |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|