Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN31D5UFZ-7B
DMN31D5UFZ-7B

DMN31D5UFZ-7B Diodes Incorporated

DMN31D5UFZ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 220MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 393mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.2 pF @ 15 V
на замовлення 540000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+6.56 грн
20000+5.81 грн
30000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN31D5UFZ-7B Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 220MA 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 393mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X2-DFN0606-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.2 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMN31D5UFZ-7B за ціною від 5.64 грн до 32.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN31D5UFZ-7B DMN31D5UFZ-7B Виробник : Diodes Incorporated DIODS21549_1-2541852.pdf MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode FET 12Vgss 1.05W
на замовлення 6435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.61 грн
18+19.20 грн
100+8.71 грн
1000+6.59 грн
2500+6.30 грн
10000+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN31D5UFZ-7B DMN31D5UFZ-7B Виробник : Diodes Incorporated DMN31D5UFZ.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 220MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 393mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.2 pF @ 15 V
на замовлення 544676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.47 грн
15+21.51 грн
100+13.68 грн
500+9.64 грн
1000+8.38 грн
2000+7.74 грн
5000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN31D5UFZ-7B DMN31D5UFZ-7B Виробник : Diodes Inc dmn31d5ufz.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.22A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN31D5UFZ-7B Виробник : DIODES INCORPORATED DMN31D5UFZ.pdf DMN31D5UFZ-7B SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.