DMN31D6UT-7 Diodes Incorporated


DMN31D6UT.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.6 pF @ 15 V
на замовлення 960000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.92 грн
6000+3.50 грн
9000+2.90 грн
30000+2.68 грн
75000+2.40 грн
150000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN31D6UT-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-523, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 320mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-523, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.6 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMN31D6UT-7 за ціною від 3.02 грн до 22.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN31D6UT-7 DMN31D6UT-7 Diodes Incorporated DMN31D6UT.pdf MOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V
на замовлення 4749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.38 грн
30+10.84 грн
100+5.91 грн
500+4.36 грн
1000+3.87 грн
3000+3.23 грн
6000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN31D6UT-7 DMN31D6UT-7 Diodes Incorporated DMN31D6UT.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.6 pF @ 15 V
на замовлення 962995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.94 грн
20+15.39 грн
100+7.51 грн
500+5.88 грн
1000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN31D6UT-7 DMN31D6UT.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V
на замовлення 4749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.38 грн
30+10.84 грн
100+5.91 грн
500+4.36 грн
1000+3.87 грн
3000+3.23 грн
6000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN31D6UT-7 DMN31D6UT.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.6 pF @ 15 V
на замовлення 962995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.94 грн
20+15.39 грн
100+7.51 грн
500+5.88 грн
1000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.