Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN31D6UT-7
DMN31D6UT-7

DMN31D6UT-7 Diodes Incorporated

DMN31D6UT.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.6 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.00 грн
9000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN31D6UT-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-523, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 320mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-523, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.6 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMN31D6UT-7 за ціною від 6.72 грн до 19.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN31D6UT-7 DMN31D6UT-7 Diodes Incorporated DMN31D6UT.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.6 pF @ 15 V
на замовлення 13920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.42 грн
26+11.52 грн
32+9.51 грн
50+7.72 грн
100+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN31D6UT-7 DMN31D6UT-7 Diodes Incorporated DMN31D6UT.pdf MOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V
на замовлення 7529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN31D6UT-7 DMN31D6UT.pdf
DMN31D6UT-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.6 pF @ 15 V
на замовлення 13920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.42 грн
26+11.52 грн
32+9.51 грн
50+7.72 грн
100+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN31D6UT-7 DMN31D6UT.pdf
DMN31D6UT-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V
на замовлення 7529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.