Продукція > DIODES INC > DMN3200U-7
DMN3200U-7

DMN3200U-7 Diodes Inc

1129967298501120ds31188.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3200U-7 Diodes Inc

Description: DIODES INC. - DMN3200U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 650mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMN3200U-7 за ціною від 6.60 грн до 39.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3200U-7 DMN3200U-7 Виробник : Diodes Zetex 1129967298501120ds31188.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 573000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3200U-7 DMN3200U-7 Виробник : Diodes Zetex 1129967298501120ds31188.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.68 грн
6000+8.32 грн
9000+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3200U-7 DMN3200U-7 Виробник : Diodes Incorporated ds31188.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
на замовлення 501000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.15 грн
6000+8.45 грн
9000+7.60 грн
30000+7.03 грн
75000+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3200U-7 DMN3200U-7 Виробник : Diodes Zetex 1129967298501120ds31188.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.29 грн
6000+8.90 грн
9000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3200U-7 DMN3200U-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002238205-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN3200U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.43 грн
500+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3200U-7 DMN3200U-7 Виробник : Diodes Zetex 1129967298501120ds31188.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+26.07 грн
30+20.49 грн
33+18.82 грн
100+12.53 грн
250+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3200U-7 DMN3200U-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002238205-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN3200U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+29.22 грн
50+22.37 грн
100+15.43 грн
500+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3200U-7 DMN3200U-7 Виробник : DIODES INCORPORATED ds31188.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; Idm: 9A; 650mW; SOT23-3
Case: SOT23-3
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.65W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 9A
Mounting: SMD
на замовлення 2584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+33.01 грн
20+19.54 грн
50+14.64 грн
100+12.87 грн
110+8.34 грн
302+7.88 грн
1500+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3200U-7 DMN3200U-7 Виробник : Diodes Incorporated ds31188.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
на замовлення 501561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.42 грн
13+25.37 грн
100+15.20 грн
500+13.21 грн
1000+8.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3200U-7 DMN3200U-7 Виробник : Diodes Incorporated ds31188.pdf MOSFETs 650mW 30Vdss
на замовлення 3518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.96 грн
13+26.82 грн
100+13.90 грн
500+12.95 грн
1000+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3200U-7 DMN3200U-7 Виробник : DIODES INCORPORATED ds31188.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; Idm: 9A; 650mW; SOT23-3
Case: SOT23-3
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.65W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 9A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2584 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.61 грн
12+24.35 грн
50+17.56 грн
100+15.45 грн
110+10.01 грн
302+9.45 грн
1500+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3200U-7 DMN3200U-7 Виробник : Diodes Zetex 1129967298501120ds31188.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3200U-7 DMN3200U-7 Виробник : Diodes Zetex 1129967298501120ds31188.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.