Продукція > DIODES INC > DMN3200U-7
DMN3200U-7

DMN3200U-7 Diodes Inc

1129967298501120ds31188.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3200U-7 Diodes Inc

Description: DIODES INC. - DMN3200U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 650mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMN3200U-7 за ціною від 6.81 грн до 37.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3200U-7 DMN3200U-7 Виробник : Diodes Zetex 1129967298501120ds31188.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 573000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3200U-7 DMN3200U-7 Виробник : Diodes Zetex 1129967298501120ds31188.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.24 грн
6000+8.86 грн
9000+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3200U-7 DMN3200U-7 Виробник : Diodes Incorporated ds31188.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
на замовлення 501000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.43 грн
6000+8.70 грн
9000+7.83 грн
30000+7.24 грн
75000+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3200U-7 DMN3200U-7 Виробник : Diodes Zetex 1129967298501120ds31188.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.97 грн
6000+9.55 грн
9000+8.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3200U-7 DMN3200U-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002238205-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN3200U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.90 грн
500+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3200U-7 DMN3200U-7 Виробник : DIODES INCORPORATED ds31188.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; Idm: 9A; 650mW; SOT23-3
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 9A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23-3
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 0.65W
Drain current: 2.2A
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+28.06 грн
20+20.21 грн
50+15.16 грн
100+13.26 грн
108+8.61 грн
297+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3200U-7 DMN3200U-7 Виробник : Diodes Zetex 1129967298501120ds31188.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+29.94 грн
30+23.53 грн
33+21.61 грн
100+14.38 грн
250+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3200U-7 DMN3200U-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002238205-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN3200U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+30.10 грн
50+23.04 грн
100+15.90 грн
500+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3200U-7 DMN3200U-7 Виробник : DIODES INCORPORATED ds31188.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; Idm: 9A; 650mW; SOT23-3
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 9A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23-3
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 0.65W
Drain current: 2.2A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.67 грн
12+25.19 грн
50+18.19 грн
100+15.92 грн
108+10.33 грн
297+9.76 грн
9000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3200U-7 DMN3200U-7 Виробник : Diodes Incorporated ds31188.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
на замовлення 501561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.44 грн
13+26.13 грн
100+15.66 грн
500+13.61 грн
1000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3200U-7 DMN3200U-7 Виробник : Diodes Incorporated ds31188.pdf MOSFETs 650mW 30Vdss
на замовлення 3518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.05 грн
13+27.63 грн
100+14.33 грн
500+13.34 грн
1000+11.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3200U-7 DMN3200U-7 Виробник : Diodes Zetex 1129967298501120ds31188.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3200U-7 DMN3200U-7 Виробник : Diodes Zetex 1129967298501120ds31188.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.