DMN3200U-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 41.85 грн |
| 12+ | 25.15 грн |
| 100+ | 16.10 грн |
| 500+ | 11.41 грн |
| 1000+ | 10.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3200U-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 650mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V.
Інші пропозиції DMN3200U-7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN3200U-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs 650mW 30Vdss |
на замовлення 3518 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DMN3200U-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 650mW 30Vdss
MOSFETs 650mW 30Vdss
на замовлення 3518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)