Продукція > DIODES ZETEX > DMN3200U-7
DMN3200U-7

DMN3200U-7 Diodes Zetex

1129967298501120ds31188.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 573000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3200U-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN3200U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 650mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMN3200U-7 за ціною від 6.80 грн до 43.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN3200U-7 DMN3200U-7 Diodes Incorporated DMN3200U.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.93 грн
6000+8.72 грн
9000+8.29 грн
15000+7.33 грн
21000+7.06 грн
30000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3200U-7 DMN3200U-7 Diodes Zetex 1129967298501120ds31188.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.77 грн
6000+10.32 грн
9000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3200U-7 DMN3200U-7 Diodes Zetex 1129967298501120ds31188.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.83 грн
6000+10.38 грн
9000+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3200U-7 DMN3200U-7 Diodes Zetex 1129967298501120ds31188.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.55 грн
30+25.58 грн
33+23.50 грн
100+15.64 грн
250+8.38 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3200U-7 DMN3200U-7 Diodes Incorporated DMN3200U.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
на замовлення 65674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.39 грн
12+25.97 грн
100+16.60 грн
500+11.77 грн
1000+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3200U-7 DMN3200U-7 Diodes Incorporated DMN3200U.pdf MOSFETs 650mW 30Vdss
на замовлення 3518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3200U-7 DMN3200U-7 DIODES INC. DIOD-S-A0002238205-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN3200U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3200U-7 DMN3200U-7 Diodes Zetex 1129967298501120ds31188.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3200U-7 DMN3200U-7 DIODES INC. DIOD-S-A0002238205-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN3200U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3200U-7 DMN3200U.pdf
DMN3200U-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.93 грн
6000+8.72 грн
9000+8.29 грн
15000+7.33 грн
21000+7.06 грн
30000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3200U-7 1129967298501120ds31188.pdf
DMN3200U-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.77 грн
6000+10.32 грн
9000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3200U-7 1129967298501120ds31188.pdf
DMN3200U-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.83 грн
6000+10.38 грн
9000+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3200U-7 1129967298501120ds31188.pdf
DMN3200U-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+32.55 грн
30+25.58 грн
33+23.50 грн
100+15.64 грн
250+8.38 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3200U-7 DMN3200U.pdf
DMN3200U-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
на замовлення 65674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+43.39 грн
12+25.97 грн
100+16.60 грн
500+11.77 грн
1000+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3200U-7 DMN3200U.pdf
DMN3200U-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 650mW 30Vdss
на замовлення 3518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3200U-7 DIOD-S-A0002238205-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN3200U-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3200U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3200U-7 1129967298501120ds31188.pdf
DMN3200U-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3200U-7 DIOD-S-A0002238205-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN3200U-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3200U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.