| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.06 грн |
| 13+ | 25.40 грн |
| 100+ | 13.17 грн |
| 500+ | 12.26 грн |
| 1000+ | 10.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3200U-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 650mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V.
Інші пропозиції DMN3200U-7 за ціною від 10.34 грн до 42.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN3200U-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 650mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V |
на замовлення 3392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|