на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3200U-7 Diodes Inc
Description: DIODES INC. - DMN3200U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 650mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMN3200U-7 за ціною від 7.47 грн до 37.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN3200U-7 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 573000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMN3200U-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMN3200U-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMN3200U-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 650mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMN3200U-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3200U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMN3200U-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 650mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V |
на замовлення 8909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMN3200U-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3200U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMN3200U-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMN3200U-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 650mW 30Vdss |
на замовлення 3518 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMN3200U-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| DMN3200U-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMN3200U-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 1445 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
DMN3200U-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |