Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN32D0LFB4-7B
DMN32D0LFB4-7B

DMN32D0LFB4-7B Diodes Incorporated

DMN32D0LFB4.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1006
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44.8 pF @ 15 V
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+5.55 грн
30000+5.28 грн
50000+4.48 грн
100000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN32D0LFB4-7B Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1006, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: X2-DFN1006-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44.8 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMN32D0LFB4-7B за ціною від 4.70 грн до 31.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN32D0LFB4-7B DMN32D0LFB4-7B Виробник : Diodes Incorporated DMN32D0LFB4.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1006
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44.8 pF @ 15 V
на замовлення 209900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.37 грн
16+19.80 грн
100+10.00 грн
500+8.32 грн
1000+6.47 грн
2000+5.79 грн
5000+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D0LFB4-7B DMN32D0LFB4-7B Виробник : Diodes Incorporated diod_s_a0009645186_1-2265734.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1006-3 T&R 10K
на замовлення 19100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+31.08 грн
15+23.13 грн
100+12.55 грн
1000+6.61 грн
2500+5.94 грн
10000+5.36 грн
20000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D0LFB4-7B Виробник : Diodes Zetex DMN32D0LFB4.pdf N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.