Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN32D0LV-7
DMN32D0LV-7

DMN32D0LV-7 Diodes Incorporated

DMN32D0LV.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.68A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 480mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44.8pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.21 грн
6000+2.80 грн
9000+2.65 грн
15000+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN32D0LV-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.68A SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 480mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44.8pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-563.

Інші пропозиції DMN32D0LV-7 за ціною від 3.42 грн до 11.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN32D0LV-7 DMN32D0LV-7 Diodes Incorporated DMN32D0LV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.68A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 480mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44.8pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 15946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.62 грн
38+7.98 грн
100+5.35 грн
500+3.83 грн
1000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D0LV-7 Diodes Incorporated DMN32D0LV-3045332.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT563 T&R 3K
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D0LV-7 DMN32D0LV.pdf
DMN32D0LV-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.68A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 480mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44.8pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 15946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.62 грн
38+7.98 грн
100+5.35 грн
500+3.83 грн
1000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D0LV-7 DMN32D0LV-3045332.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT563 T&R 3K
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.