Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN32D2LDF-7
DMN32D2LDF-7

DMN32D2LDF-7 Diodes Incorporated

ds31238.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 280mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-353
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.65 грн
6000+4.92 грн
9000+4.66 грн
15000+4.10 грн
21000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN32D2LDF-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN32D2LDF-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1.2 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400mA, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 280mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-353, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 280mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DMN32D2LDF-7 за ціною від 4.56 грн до 27.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN32D2LDF-7 DMN32D2LDF-7 Diodes Zetex ds31238.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 5-Pin SOT-353 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.69 грн
6000+6.62 грн
9000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LDF-7 DMN32D2LDF-7 Diodes Zetex ds31238.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 5-Pin SOT-353 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.69 грн
6000+6.62 грн
9000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LDF-7 DMN32D2LDF-7 Diodes Zetex ds31238.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 5-Pin SOT-353 T/R
на замовлення 3154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1352+10.44 грн
1520+9.29 грн
1536+9.19 грн
1885+7.22 грн
3000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 1352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LDF-7 DMN32D2LDF-7 Diodes Zetex ds31238.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 5-Pin SOT-353 T/R
на замовлення 3154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.15 грн
41+18.55 грн
45+17.10 грн
100+10.07 грн
250+8.29 грн
500+7.88 грн
1000+6.42 грн
3000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LDF-7 DMN32D2LDF-7 Diodes Incorporated ds31238.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 280mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-353
на замовлення 29315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.06 грн
19+15.93 грн
100+10.04 грн
500+7.03 грн
1000+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LDF-7 DMN32D2LDF-7 Diodes Incorporated ds31238.pdf MOSFETs 350mw 30V DUAL
на замовлення 14100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LDF-7 DMN32D2LDF-7 DIODES INC. ds31238.pdf Description: DIODES INC. - DMN32D2LDF-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-353
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LDF-7 DMN32D2LDF-7 DIODES INC. ds31238.pdf Description: DIODES INC. - DMN32D2LDF-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-353
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LDF-7 ds31238.pdf
DMN32D2LDF-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 5-Pin SOT-353 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.69 грн
6000+6.62 грн
9000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LDF-7 ds31238.pdf
DMN32D2LDF-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 5-Pin SOT-353 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.69 грн
6000+6.62 грн
9000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LDF-7 ds31238.pdf
DMN32D2LDF-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 5-Pin SOT-353 T/R
на замовлення 3154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1352+10.44 грн
1520+9.29 грн
1536+9.19 грн
1885+7.22 грн
3000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 1352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LDF-7 ds31238.pdf
DMN32D2LDF-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 5-Pin SOT-353 T/R
на замовлення 3154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+25.15 грн
41+18.55 грн
45+17.10 грн
100+10.07 грн
250+8.29 грн
500+7.88 грн
1000+6.42 грн
3000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LDF-7 ds31238.pdf
DMN32D2LDF-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 280mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-353
на замовлення 29315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.06 грн
19+15.93 грн
100+10.04 грн
500+7.03 грн
1000+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LDF-7 ds31238.pdf
DMN32D2LDF-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 350mw 30V DUAL
на замовлення 14100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LDF-7 ds31238.pdf
DMN32D2LDF-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN32D2LDF-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-353
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LDF-7 ds31238.pdf
DMN32D2LDF-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN32D2LDF-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-353
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.