| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.75 грн |
| 6000+ | 6.68 грн |
| 9000+ | 6.12 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN32D2LDF-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN32D2LDF-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1.2 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400mA, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 280mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-353, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 280mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DMN32D2LDF-7 за ціною від 4.39 грн до 33.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMN32D2LDF-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 5-Pin SOT-353 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMN32D2LDF-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 280mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 3V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-353 |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMN32D2LDF-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 5-Pin SOT-353 T/R |
на замовлення 3154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMN32D2LDF-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 5-Pin SOT-353 T/R |
на замовлення 3154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMN32D2LDF-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs 350mw 30V DUAL |
на замовлення 14100 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMN32D2LDF-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 280mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 3V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-353 |
на замовлення 19952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMN32D2LDF-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 400mA; 280mW; SOT353; ESD Mounting: SMD Case: SOT353 Kind of package: 7 inch reel; tape Power dissipation: 0.28W Polarisation: unipolar Version: ESD Drain current: 0.4A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET x2 Gate-source voltage: ±10V Semiconductor structure: common source On-state resistance: 2.2Ω |
на замовлення 1296 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMN32D2LDF-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN32D2LDF-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1.2 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 280mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-353 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 280mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
DMN32D2LDF-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN32D2LDF-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1.2 ohmtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 280mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-353 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 280mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMN32D2LDF-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 5-Pin SOT-353 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 5-Pin SOT-353 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.75 грн |
| 6000+ | 6.68 грн |
| 9000+ | 6.12 грн |
| DMN32D2LDF-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 280mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-353
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 280mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-353
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.92 грн |
| 9000+ | 5.71 грн |
| DMN32D2LDF-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 5-Pin SOT-353 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 5-Pin SOT-353 T/R
на замовлення 3154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1352+ | 10.54 грн |
| 1520+ | 9.37 грн |
| 1536+ | 9.27 грн |
| 1885+ | 7.29 грн |
| 3000+ | 4.80 грн |
| DMN32D2LDF-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 5-Pin SOT-353 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 5-Pin SOT-353 T/R
на замовлення 3154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 25.37 грн |
| 41+ | 18.72 грн |
| 45+ | 17.26 грн |
| 100+ | 10.16 грн |
| 250+ | 8.36 грн |
| 500+ | 7.95 грн |
| 1000+ | 6.48 грн |
| 3000+ | 4.60 грн |
| DMN32D2LDF-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 350mw 30V DUAL
MOSFETs 350mw 30V DUAL
на замовлення 14100 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 30.72 грн |
| 18+ | 17.33 грн |
| 100+ | 9.95 грн |
| 500+ | 7.75 грн |
| 1000+ | 6.22 грн |
| 3000+ | 4.97 грн |
| 6000+ | 4.39 грн |
| DMN32D2LDF-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 280mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-353
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 280mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-353
на замовлення 19952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 31.62 грн |
| 16+ | 18.94 грн |
| 25+ | 15.69 грн |
| 50+ | 12.81 грн |
| 100+ | 11.20 грн |
| DMN32D2LDF-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 400mA; 280mW; SOT353; ESD
Mounting: SMD
Case: SOT353
Kind of package: 7 inch reel; tape
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 0.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±10V
Semiconductor structure: common source
On-state resistance: 2.2Ω
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 400mA; 280mW; SOT353; ESD
Mounting: SMD
Case: SOT353
Kind of package: 7 inch reel; tape
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 0.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±10V
Semiconductor structure: common source
On-state resistance: 2.2Ω
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 33.77 грн |
| 22+ | 19.23 грн |
| 50+ | 12.79 грн |
| 100+ | 10.76 грн |
| 190+ | 4.99 грн |
| 521+ | 4.72 грн |
| DMN32D2LDF-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN32D2LDF-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-353
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - DMN32D2LDF-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-353
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMN32D2LDF-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN32D2LDF-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-353
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMN32D2LDF-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-353
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







