Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN32D2LDF-7
DMN32D2LDF-7

DMN32D2LDF-7 Diodes Incorporated

ds31238.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 280mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-353
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.55 грн
6000+4.83 грн
9000+4.58 грн
15000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN32D2LDF-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN32D2LDF-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1.2 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400mA, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 280mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-353, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 280mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMN32D2LDF-7 за ціною від 4.09 грн до 33.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN32D2LDF-7 DMN32D2LDF-7 Виробник : Diodes Zetex ds31238.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 5-Pin SOT-353 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.76 грн
6000+5.70 грн
9000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LDF-7 DMN32D2LDF-7 Виробник : Diodes Zetex ds31238.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 5-Pin SOT-353 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.17 грн
6000+6.11 грн
9000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LDF-7 DMN32D2LDF-7 Виробник : DIODES INC. ds31238.pdf Description: DIODES INC. - DMN32D2LDF-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-353
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.56 грн
1500+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LDF-7 DMN32D2LDF-7 Виробник : Diodes Zetex ds31238.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 5-Pin SOT-353 T/R
на замовлення 3154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1352+8.99 грн
1520+7.99 грн
1536+7.91 грн
1885+6.21 грн
3000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 1352
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LDF-7 DMN32D2LDF-7 Виробник : Diodes Zetex ds31238.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 5-Pin SOT-353 T/R
на замовлення 3154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+23.18 грн
41+17.10 грн
45+15.77 грн
100+9.28 грн
250+7.64 грн
500+7.26 грн
1000+5.92 грн
3000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LDF-7 DMN32D2LDF-7 Виробник : DIODES INCORPORATED ds31238.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 400mA; 280mW; SOT353; ESD
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 30V
Semiconductor structure: common source
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SOT353
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 2.2Ω
Power dissipation: 0.28W
Drain current: 0.4A
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+27.21 грн
23+17.45 грн
50+12.00 грн
100+10.27 грн
191+4.85 грн
525+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LDF-7 DMN32D2LDF-7 Виробник : Diodes Incorporated ds31238.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 280mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-353
на замовлення 43311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.16 грн
18+18.40 грн
100+11.60 грн
500+8.12 грн
1000+7.22 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LDF-7 DMN32D2LDF-7 Виробник : Diodes Incorporated ds31238.pdf MOSFETs 350mw 30V DUAL
на замовлення 14100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+31.84 грн
20+17.96 грн
100+10.31 грн
500+8.03 грн
1000+6.44 грн
3000+5.15 грн
6000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LDF-7 DMN32D2LDF-7 Виробник : DIODES INCORPORATED ds31238.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 400mA; 280mW; SOT353; ESD
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 30V
Semiconductor structure: common source
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SOT353
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 2.2Ω
Power dissipation: 0.28W
Drain current: 0.4A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.65 грн
14+21.74 грн
50+14.40 грн
100+12.33 грн
191+5.82 грн
525+5.50 грн
9000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LDF-7 DMN32D2LDF-7 Виробник : DIODES INC. ds31238.pdf Description: DIODES INC. - DMN32D2LDF-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-353
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+33.08 грн
50+19.39 грн
100+12.67 грн
500+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LDF-7 DMN32D2LDF-7 Виробник : Diodes Zetex ds31238.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 5-Pin SOT-353 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LDF-7 DMN32D2LDF-7 Виробник : Diodes Inc ds31238.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 5-Pin SOT-353 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.