Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN32D2LFB4-7
DMN32D2LFB4-7

DMN32D2LFB4-7 Diodes Incorporated

ds31124.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 300MA 3DFN
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.02 грн
6000+7.94 грн
9000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN32D2LFB4-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN32D2LFB4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1.2 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: X2-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMN32D2LFB4-7 за ціною від 11.14 грн до 45.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN32D2LFB4-7 DMN32D2LFB4-7 Diodes Zetex 326ds31124.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.3A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 900000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LFB4-7 DMN32D2LFB4-7 Diodes Zetex 326ds31124.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.3A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
462+18.85 грн
1000+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 462 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LFB4-7 DMN32D2LFB4-7 Diodes Zetex 326ds31124.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.3A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
751+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 751 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LFB4-7 DMN32D2LFB4-7 Diodes Incorporated ds31124.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 300MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 135100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.72 грн
11+27.31 грн
100+17.53 грн
500+12.49 грн
1000+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LFB4-7 DMN32D2LFB4-7 Diodes Incorporated ds31124.pdf MOSFETs 350mW 30Vdss
на замовлення 38444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LFB4-7 DMN32D2LFB4-7 DIODES INC. DIOD-S-A0001068624-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN32D2LFB4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1.2 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LFB4-7 DMN32D2LFB4-7 DIODES INC. DIOD-S-A0001068624-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN32D2LFB4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1.2 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LFB4-7 326ds31124.pdf
DMN32D2LFB4-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.3A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 900000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LFB4-7 326ds31124.pdf
DMN32D2LFB4-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.3A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
462+18.85 грн
1000+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 462 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LFB4-7 326ds31124.pdf
DMN32D2LFB4-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.3A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
751+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 751 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LFB4-7 ds31124.pdf
DMN32D2LFB4-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 300MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 135100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+45.72 грн
11+27.31 грн
100+17.53 грн
500+12.49 грн
1000+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LFB4-7 ds31124.pdf
DMN32D2LFB4-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 350mW 30Vdss
на замовлення 38444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LFB4-7 DIOD-S-A0001068624-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN32D2LFB4-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN32D2LFB4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1.2 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LFB4-7 DIOD-S-A0001068624-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN32D2LFB4-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN32D2LFB4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1.2 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.