DMN32D2LFB4-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 300MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 3 V
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.66 грн |
| 6000+ | 8.50 грн |
| 9000+ | 8.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN32D2LFB4-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN32D2LFB4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1.2 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: X2-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMN32D2LFB4-7 за ціною від 8.48 грн до 48.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN32D2LFB4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.3A 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 900000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN32D2LFB4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.3A 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN32D2LFB4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.3A 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN32D2LFB4-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN32D2LFB4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1.2 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN32D2LFB4-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN32D2LFB4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1.2 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN32D2LFB4-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 350mW 30Vdss |
на замовлення 45048 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN32D2LFB4-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 300MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 3 V |
на замовлення 135100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN32D2LFB4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.3A 3-Pin X2-DFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
DMN32D2LFB4-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.3A 3-Pin X2-DFN T/R |
товару немає в наявності |