Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 > DMN32D4SDW-7

DMN32D4SDW-7

DMN32D4SDW.pdf
Код товару: 131979
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції DMN32D4SDW-7 за ціною від 3.25 грн до 36.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN32D4SDW-7 DMN32D4SDW-7 Виробник : Diodes Zetex 49dmn32d4sdw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.65A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D4SDW-7 DMN32D4SDW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN32D4SDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 152468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.99 грн
6000+5.51 грн
9000+4.77 грн
30000+4.39 грн
75000+3.63 грн
150000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D4SDW-7 DMN32D4SDW-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0000570343-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN32D4SDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.93 грн
500+6.86 грн
1000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D4SDW-7 DMN32D4SDW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN32D4SDW.pdf MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 20Vgs 50pF 0.6nC
на замовлення 91177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.41 грн
20+16.16 грн
100+7.48 грн
500+6.30 грн
1000+5.82 грн
3000+3.74 грн
6000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D4SDW-7 DMN32D4SDW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN32D4SDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 152468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.49 грн
14+22.42 грн
100+11.32 грн
500+8.67 грн
1000+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D4SDW-7 DMN32D4SDW-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0000570343-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN32D4SDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+36.18 грн
34+24.23 грн
100+9.93 грн
500+6.86 грн
1000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D4SDW-7 DMN32D4SDW-7 Виробник : Diodes Zetex 49dmn32d4sdw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.65A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D4SDW-7 DMN32D4SDW-7 Виробник : Diodes Zetex 49dmn32d4sdw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.65A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.