на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN32D4SDW-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN32D4SDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 350mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 350mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMN32D4SDW-7 за ціною від 3.39 грн до 34.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN32D4SDW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 290mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 250mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 |
на замовлення 152468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN32D4SDW-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN32D4SDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 350mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 350mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN32D4SDW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 20Vgs 50pF 0.6nC |
на замовлення 99688 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN32D4SDW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 290mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 250mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 |
на замовлення 152468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN32D4SDW-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN32D4SDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 350mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 350mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMN32D4SDW-7 Код товару: 131979 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
DMN32D4SDW-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.65A 6-Pin SOT-363 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DMN32D4SDW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.65A 6-Pin SOT-363 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DMN32D4SDW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.65A 6-Pin SOT-363 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
DMN32D4SDW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 500mA; Idm: 4A; 350mW; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 4A Power dissipation: 0.35W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DMN32D4SDW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 500mA; Idm: 4A; 350mW; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 4A Power dissipation: 0.35W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |