DMN33D8LDW-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.60 грн |
| 6000+ | 4.04 грн |
| 9000+ | 3.84 грн |
| 15000+ | 3.38 грн |
| 21000+ | 3.26 грн |
| 30000+ | 3.13 грн |
| 75000+ | 2.91 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN33D8LDW-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 350mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA, Supplier Device Package: SOT-363, Part Status: Active.
Інші пропозиції DMN33D8LDW-7 за ціною від 3.53 грн до 30.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN33D8LDW-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 350mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 439045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN33D8LDW-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs 33V Dual N-Ch Enh 30Vgss 250mA 0.35W |
на замовлення 5789 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| DMN33D8LDW-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 439045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 24.55 грн |
| 22+ | 14.41 грн |
| 100+ | 9.07 грн |
| 500+ | 6.30 грн |
| 1000+ | 5.58 грн |
| DMN33D8LDW-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 33V Dual N-Ch Enh 30Vgss 250mA 0.35W
MOSFETs 33V Dual N-Ch Enh 30Vgss 250mA 0.35W
на замовлення 5789 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 30.13 грн |
| 15+ | 20.55 грн |
| 100+ | 7.43 грн |
| 1000+ | 5.41 грн |
| 3000+ | 4.13 грн |
| 9000+ | 3.60 грн |
| 45000+ | 3.53 грн |