на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN33D8LDW-7 Diodes Inc
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 350mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA, Supplier Device Package: SOT-363, Part Status: Active.
Інші пропозиції DMN33D8LDW-7 за ціною від 2.91 грн до 29.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN33D8LDW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 350mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 435000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN33D8LDW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 350mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 439045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN33D8LDW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 33V Dual N-Ch Enh 30Vgss 250mA 0.35W |
на замовлення 5789 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMN33D8LDW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMN33D8LDW-7 Multi channel transistors |
товару немає в наявності |