Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN33D8LDW-7
DMN33D8LDW-7

DMN33D8LDW-7 Diodes Incorporated

DMN33D8LDW.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 435000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.51 грн
6000+3.96 грн
9000+3.76 грн
15000+3.32 грн
21000+3.19 грн
30000+3.07 грн
75000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN33D8LDW-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 350mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA, Supplier Device Package: SOT-363, Part Status: Active.

Інші пропозиції DMN33D8LDW-7 за ціною від 5.48 грн до 24.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN33D8LDW-7 DMN33D8LDW-7 Diodes Incorporated DMN33D8LDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 439045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.08 грн
22+14.13 грн
100+8.89 грн
500+6.18 грн
1000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LDW-7 DMN33D8LDW-7 Diodes Incorporated DMN33D8LDW.pdf MOSFETs 33V Dual N-Ch Enh 30Vgss 250mA 0.35W
на замовлення 5789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LDW-7 DMN33D8LDW.pdf
DMN33D8LDW-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 439045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.08 грн
22+14.13 грн
100+8.89 грн
500+6.18 грн
1000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LDW-7 DMN33D8LDW.pdf
DMN33D8LDW-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 33V Dual N-Ch Enh 30Vgss 250mA 0.35W
на замовлення 5789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.