Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN33D8LDW-7
DMN33D8LDW-7

DMN33D8LDW-7 Diodes Incorporated

DMN33D8LDW.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 350mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 435000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.60 грн
6000+4.03 грн
9000+3.83 грн
15000+3.38 грн
21000+3.25 грн
30000+3.13 грн
75000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN33D8LDW-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-363, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 350mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMN33D8LDW-7 за ціною від 3.31 грн до 28.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN33D8LDW-7 DMN33D8LDW-7 Diodes Incorporated DMN33D8LDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 350mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 439045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.53 грн
22+14.40 грн
100+9.06 грн
500+6.29 грн
1000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LDW-7 DMN33D8LDW-7 Diodes Incorporated DMN33D8LDW.pdf MOSFETs 33V Dual N-Ch Enh 30Vgss 250mA 0.35W
на замовлення 5789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.22 грн
17+19.25 грн
100+6.96 грн
1000+5.06 грн
3000+3.87 грн
9000+3.38 грн
45000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LDW-7 DMN33D8LDW.pdf
DMN33D8LDW-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 350mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 439045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.53 грн
22+14.40 грн
100+9.06 грн
500+6.29 грн
1000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LDW-7 DMN33D8LDW.pdf
DMN33D8LDW-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 33V Dual N-Ch Enh 30Vgss 250mA 0.35W
на замовлення 5789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.22 грн
17+19.25 грн
100+6.96 грн
1000+5.06 грн
3000+3.87 грн
9000+3.38 грн
45000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.