Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN33D8LT-13
DMN33D8LT-13

DMN33D8LT-13 Diodes Incorporated

DMN33D8LT.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 240mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48 pF @ 5 V
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+3.44 грн
20000+3.02 грн
30000+2.86 грн
50000+2.53 грн
70000+2.43 грн
100000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN33D8LT-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN33D8LT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 115mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 240mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-523, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm.

Інші пропозиції DMN33D8LT-13 за ціною від 3.39 грн до 19.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN33D8LT-13 DMN33D8LT-13 Diodes Incorporated DMN33D8LT.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 240mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48 pF @ 5 V
на замовлення 144194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.37 грн
26+11.72 грн
100+7.33 грн
500+5.06 грн
1000+4.47 грн
2000+3.98 грн
5000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-13 DMN33D8LT-13 Diodes Incorporated DMN33D8LT.pdf MOSFETs 33V Single N-Ch Enh 20Vgss 115mA 240mW
на замовлення 42239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-13 DMN33D8LT-13 DIODES INC. DMN33D8LT.pdf Description: DIODES INC. - DMN33D8LT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 240mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 18630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-13 DMN33D8LT-13 DIODES INC. DMN33D8LT.pdf Description: DIODES INC. - DMN33D8LT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 240mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 18630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-13 DMN33D8LT.pdf
DMN33D8LT-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 240mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48 pF @ 5 V
на замовлення 144194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.37 грн
26+11.72 грн
100+7.33 грн
500+5.06 грн
1000+4.47 грн
2000+3.98 грн
5000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-13 DMN33D8LT.pdf
DMN33D8LT-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 33V Single N-Ch Enh 20Vgss 115mA 240mW
на замовлення 42239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-13 DMN33D8LT.pdf
DMN33D8LT-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN33D8LT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 240mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 18630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-13 DMN33D8LT.pdf
DMN33D8LT-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN33D8LT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 240mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 18630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.