Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN33D8LT-7
DMN33D8LT-7

DMN33D8LT-7 Diodes Incorporated

DMN33D8LT.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN33D8LT-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN33D8LT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 115mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 240mW, Bauform - Transistor: SOT-523, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMN33D8LT-7 за ціною від 7.45 грн до 21.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN33D8LT-7 DMN33D8LT-7 Diodes Incorporated DMN33D8LT.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523
на замовлення 6104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.75 грн
24+12.71 грн
29+10.53 грн
50+8.56 грн
100+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-7 DMN33D8LT-7 Diodes Incorporated DMN33D8LT.pdf MOSFETs 33V Dual N-Ch Enh 20Vgss 115mA 240mW
на замовлення 6536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-7 DMN33D8LT-7 DIODES INC. DIOD-S-A0011756464-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN33D8LT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-7 DMN33D8LT-7 DIODES INC. DIOD-S-A0011756464-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN33D8LT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-7 DMN33D8LT.pdf
DMN33D8LT-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523
на замовлення 6104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.75 грн
24+12.71 грн
29+10.53 грн
50+8.56 грн
100+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-7 DMN33D8LT.pdf
DMN33D8LT-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 33V Dual N-Ch Enh 20Vgss 115mA 240mW
на замовлення 6536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-7 DIOD-S-A0011756464-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN33D8LT-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN33D8LT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-7 DIOD-S-A0011756464-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN33D8LT-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN33D8LT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.