Продукція > DIODES INC. > DMN33D8LT-7
DMN33D8LT-7

DMN33D8LT-7 DIODES INC.

DIOD-S-A0011756464-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN33D8LT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.15 грн
1000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN33D8LT-7 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMN33D8LT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 115mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 240mW, Bauform - Transistor: SOT-523, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMN33D8LT-7 за ціною від 3.02 грн до 27.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN33D8LT-7 DMN33D8LT-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0011756464-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN33D8LT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+27.56 грн
44+18.98 грн
106+7.80 грн
500+6.15 грн
1000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-7 DMN33D8LT-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN33D8LT.pdf MOSFETs 33V Dual N-Ch Enh 20Vgss 115mA 240mW
на замовлення 6536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.98 грн
18+18.95 грн
100+6.77 грн
1000+4.71 грн
3000+3.68 грн
9000+3.09 грн
24000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-7 DMN33D8LT-7 Виробник : Diodes Inc dmn33d8lt.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.115A 3-Pin SOT-523 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN33D8LT.pdf DMN33D8LT-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LT-7 DMN33D8LT-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN33D8LT.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 0.115A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.