Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN33D8LV-7
DMN33D8LV-7

DMN33D8LV-7 Diodes Incorporated

DMN33D8LV.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 1077000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.94 грн
6000+5.47 грн
9000+4.73 грн
30000+4.36 грн
75000+3.61 грн
150000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN33D8LV-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 430mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA, Supplier Device Package: SOT-563.

Інші пропозиції DMN33D8LV-7 за ціною від 4.10 грн до 33.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN33D8LV-7 DMN33D8LV-7 Виробник : Diodes Incorporated DIODS21575_1-2541793.pdf MOSFETs 2N7002 Family
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.44 грн
25+13.98 грн
100+6.30 грн
1000+5.71 грн
3000+4.32 грн
9000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LV-7 DMN33D8LV-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN33D8LV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 1077000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.26 грн
14+22.27 грн
100+11.23 грн
500+8.60 грн
1000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.