DMN33D8LVQ-13

DMN33D8LVQ-13 Diodes Incorporated


DMN33D8LVQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 160000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+4.82 грн
30000+4.55 грн
50000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN33D8LVQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 430mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA, Supplier Device Package: SOT-563, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN33D8LVQ-13 за ціною від 4.95 грн до 32.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN33D8LVQ-13 DMN33D8LVQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN33D8LVQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 169863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.60 грн
14+21.83 грн
100+11.01 грн
500+8.43 грн
1000+6.26 грн
2000+5.26 грн
5000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.