на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 6.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN33D9LV-13 Diodes Zetex
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 200mA; Idm: 0.8A; 200mW, Type of transistor: N-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 0.2A, Pulsed drain current: 0.8A, Power dissipation: 0.2W, Case: SOT563, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 7Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 1.23nC, Kind of package: 13 inch reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції DMN33D9LV-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN33D9LV-13 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A 6-Pin SOT-563 T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
DMN33D9LV-13 | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V SOT563 T&R 10K |
товару немає в наявності |
|
| DMN33D9LV-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 200mA; Idm: 0.8A; 200mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.2W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.23nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |