DMN33D9LV-7A

DMN33D9LV-7A Diodes Incorporated


DMN33D9LV.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.39 грн
6000+6.95 грн
9000+6.16 грн
30000+5.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN33D9LV-7A Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 430mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 100µA, Supplier Device Package: SOT-563.

Інші пропозиції DMN33D9LV-7A за ціною від 6.40 грн до 39.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN33D9LV-7A DMN33D9LV-7A Diodes Incorporated DMN33D9LV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 62900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.23 грн
14+22.86 грн
100+11.53 грн
500+9.58 грн
1000+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D9LV-7A DMN33D9LV-7A Diodes Incorporated DIOD_S_A0009189368_1-2543264.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V SOT563 T&R 3K
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.38 грн
12+29.28 грн
100+15.89 грн
500+10.90 грн
1000+8.37 грн
3000+7.45 грн
9000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D9LV-7A DMN33D9LV.pdf
DMN33D9LV-7A
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 62900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.23 грн
14+22.86 грн
100+11.53 грн
500+9.58 грн
1000+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D9LV-7A DIOD_S_A0009189368_1-2543264.pdf
DMN33D9LV-7A
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V SOT563 T&R 3K
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.38 грн
12+29.28 грн
100+15.89 грн
500+10.90 грн
1000+8.37 грн
3000+7.45 грн
9000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.