DMN33D9LV-7A Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.39 грн |
| 6000+ | 6.96 грн |
| 9000+ | 6.17 грн |
| 30000+ | 5.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN33D9LV-7A Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN33D9LV-7A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 0.2 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 430mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 430mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMN33D9LV-7A за ціною від 5.00 грн до 41.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN33D9LV-7A | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN33D9LV-7A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 0.2 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 430mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 430mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN33D9LV-7A | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN33D9LV-7A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 0.2 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 430mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 430mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN33D9LV-7A | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 430mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-563 |
на замовлення 62900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN33D9LV-7A | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V SOT563 T&R 3K |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMN33D9LV-7A | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMN33D9LV-7A Multi channel transistors |
товару немає в наявності |