Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3401LDW-13
DMN3401LDW-13

DMN3401LDW-13 Diodes Incorporated

DMN3401LDW.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+4.54 грн
20000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3401LDW-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 290mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363, Part Status: Active.

Інші пропозиції DMN3401LDW-13 за ціною від 4.30 грн до 27.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3401LDW-13 DMN3401LDW-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN3401LDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 27604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.73 грн
21+15.43 грн
100+9.69 грн
500+6.75 грн
1000+5.99 грн
2000+5.35 грн
5000+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LDW-13 DMN3401LDW-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN3401LDW.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.75 грн
21+16.94 грн
100+9.28 грн
500+6.91 грн
1000+5.22 грн
5000+4.68 грн
10000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LDW-13 DMN3401LDW-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3401LDW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 4A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.