DMN3401LDW-13 Diodes Incorporated


DMN3401LDW.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT363
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 290mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+4.33 грн
20000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3401LDW-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT363, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 290mW (Ta), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-363, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V.

Інші пропозиції DMN3401LDW-13 за ціною від 3.94 грн до 25.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3401LDW-13 DMN3401LDW-13 Diodes Incorporated DMN3401LDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT363
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 290mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
на замовлення 27604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.53 грн
21+14.70 грн
100+9.23 грн
500+6.43 грн
1000+5.71 грн
2000+5.10 грн
5000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LDW-13 DMN3401LDW-13 Diodes Incorporated DMN3401LDW.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.43 грн
21+15.53 грн
100+8.51 грн
500+6.33 грн
1000+4.78 грн
5000+4.29 грн
10000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LDW-13 DMN3401LDW.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT363
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 290mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
на замовлення 27604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.53 грн
21+14.70 грн
100+9.23 грн
500+6.43 грн
1000+5.71 грн
2000+5.10 грн
5000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LDW-13 DMN3401LDW.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.43 грн
21+15.53 грн
100+8.51 грн
500+6.33 грн
1000+4.78 грн
5000+4.29 грн
10000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.