DMN3401LVQ-13 Diodes Incorporated


DMN3401LVQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+3.43 грн
20000+3.01 грн
30000+2.86 грн
50000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 10000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3401LVQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 490mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 100µA, Supplier Device Package: SOT-563, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN3401LVQ-13 за ціною від 3.47 грн до 20.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN3401LVQ-13 DMN3401LVQ-13 Diodes Incorporated DMN3401LVQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 56778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.19 грн
25+11.97 грн
100+7.46 грн
500+5.17 грн
1000+4.58 грн
2000+4.08 грн
5000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LVQ-13 DMN3401LVQ-13 Diodes Incorporated DMN3401LVQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT563 T&R 10K
на замовлення 19864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LVQ-13 DMN3401LVQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 56778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.19 грн
25+11.97 грн
100+7.46 грн
500+5.17 грн
1000+4.58 грн
2000+4.08 грн
5000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LVQ-13 DMN3401LVQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT563 T&R 10K
на замовлення 19864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.