Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3401LVQ-13
DMN3401LVQ-13

DMN3401LVQ-13 Diodes Incorporated

DMN3401LVQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.98 грн
20000+2.80 грн
30000+2.72 грн
50000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3401LVQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 490mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 100µA, Supplier Device Package: SOT-563, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN3401LVQ-13 за ціною від 3.67 грн до 21.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3401LVQ-13 DMN3401LVQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN3401LVQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 114465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.38 грн
25+12.66 грн
100+7.89 грн
500+5.47 грн
1000+4.73 грн
2000+4.31 грн
5000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3401LVQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN3401LVQ-3103785.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT563 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.