DMN3401LVQ-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.43 грн |
| 6000+ | 3.84 грн |
| 9000+ | 3.62 грн |
| 15000+ | 3.17 грн |
| 21000+ | 3.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3401LVQ-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 490mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 100µA, Supplier Device Package: SOT-563, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMN3401LVQ-7 за ціною від 4.95 грн до 21.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN3401LVQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT563Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 490mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 29975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| DMN3401LVQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT563 T&R 3K |
товару немає в наявності |