DMN3730U-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.50 грн |
| 6000+ | 8.77 грн |
| 9000+ | 7.89 грн |
| 30000+ | 7.30 грн |
| 75000+ | 6.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3730U-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN3730U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.46 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 750mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 710mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 710mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.46ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMN3730U-7 за ціною від 6.28 грн до 38.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN3730U-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3730U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.46 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 750mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 710mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.46ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN3730U-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.75A; Idm: 10A; 0.45W; SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.45W On-state resistance: 0.46Ω Drain current: 0.75A Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 10A Drain-source voltage: 30V Case: SOT23 Kind of package: 7 inch reel; tape |
на замовлення 1404 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN3730U-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 SOT23,3K |
на замовлення 35386 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3730U-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.75A; Idm: 10A; 0.45W; SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.45W On-state resistance: 0.46Ω Drain current: 0.75A Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 10A Drain-source voltage: 30V Case: SOT23 Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1404 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3730U-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 450mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V |
на замовлення 99548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3730U-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3730U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.46 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 750mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|