Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3730UFB-7
DMN3730UFB-7

DMN3730UFB-7 Diodes Incorporated

DMN3730UFB.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3730UFB-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 470mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: X1-DFN1006-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DMN3730UFB-7 за ціною від 10.67 грн до 44.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3730UFB-7 DMN3730UFB-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3730UFB.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
на замовлення 3403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.50 грн
12+26.86 грн
100+18.28 грн
500+13.45 грн
1000+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3730UFB-7 DMN3730UFB-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3730UFB.pdf MOSFETs 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V
на замовлення 4285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+44.31 грн
11+32.65 грн
100+19.72 грн
500+15.27 грн
1000+13.66 грн
3000+11.97 грн
6000+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3730UFB-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3730UFB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 730mA; Idm: 3A; 690mW
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.73Ω
Power dissipation: 0.69W
Drain current: 730mA
Pulsed drain current: 3A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 30V
Case: X1-DFN1006-3
Kind of package: 7 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.