Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3730UFB4-7
DMN3730UFB4-7

DMN3730UFB4-7 Diodes Incorporated

DMN3730UFB4.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
на замовлення 2139000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.23 грн
6000+9.99 грн
9000+9.57 грн
15000+8.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3730UFB4-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 470mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: X2-DFN1006-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DMN3730UFB4-7 за ціною від 11.66 грн до 39.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3730UFB4-7 DMN3730UFB4-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3730UFB4.pdf MOSFET 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V
на замовлення 3174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.94 грн
13+27.95 грн
100+16.55 грн
500+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3730UFB4-7 DMN3730UFB4-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3730UFB4.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
на замовлення 2140288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.60 грн
12+25.62 грн
100+17.44 грн
500+12.83 грн
1000+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3730UFB4-7 DMN3730UFB4-7 Виробник : Diodes Inc 39838522059453864dmn3730ufb4.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3730UFB4-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3730UFB4.pdf DMN3730UFB4-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.