Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3731U-13
DMN3731U-13

DMN3731U-13 Diodes Incorporated

DMN3731U.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
на замовлення 8069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.33 грн
33+9.75 грн
100+6.04 грн
500+4.14 грн
1000+3.65 грн
2000+3.23 грн
5000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3731U-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 400mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DMN3731U-13 за ціною від 1.95 грн до 20.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3731U-13 DMN3731U-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0008363727_1-2543186.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 16346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+20.52 грн
25+13.89 грн
100+4.98 грн
1000+3.02 грн
2500+2.79 грн
10000+2.49 грн
20000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731U-13 Виробник : Diodes Zetex dmn3731u.pdf High Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731U-13 Виробник : Diodes Zetex dmn3731u.pdf High Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731U-13 Виробник : Diodes Inc dmn3731u.pdf High Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731U-13 DMN3731U-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN3731U.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731U-13 DMN3731U-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3731U.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 700mA; Idm: 3A; 580mW; SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.5nC
On-state resistance: 0.73Ω
Power dissipation: 0.58W
Drain current: 0.7A
Pulsed drain current: 3A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 30V
Case: SOT23
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.