на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4262+ | 2.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3731U-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN3731U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.46 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 900mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 580mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMN3731U-7 за ціною від 1.69 грн до 18.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN3731U-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V |
на замовлення 408000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DMN3731U-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
DMN3731U-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3731U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.46 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 900mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DMN3731U-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V |
на замовлення 410023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
DMN3731U-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V |
на замовлення 8768 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DMN3731U-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3731U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.46 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 900mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DMN3731U-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
| DMN3731U-7 | Виробник : Diodes Inc |
High Enhancement Mode MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
 |
DMN3731U-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 700mA; Idm: 3A; 580mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.7A Pulsed drain current: 3A Power dissipation: 0.58W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.73Ω Mounting: SMD Gate charge: 5.5nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |