Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3731U-7
DMN3731U-7

DMN3731U-7 Diodes Incorporated

DMN3731U.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
на замовлення 408000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.38 грн
6000+2.91 грн
9000+2.73 грн
15000+2.38 грн
21000+2.27 грн
30000+2.16 грн
75000+1.90 грн
150000+1.75 грн
300000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3731U-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN3731U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.46 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 900mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 580mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMN3731U-7 за ціною від 1.95 грн до 20.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3731U-7 DMN3731U-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0008363727-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN3731U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.46 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731U-7 DMN3731U-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3731U.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
на замовлення 410023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.52 грн
33+9.86 грн
100+6.11 грн
500+4.19 грн
1000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731U-7 DMN3731U-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0008363727-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN3731U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.46 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+17.90 грн
80+10.79 грн
127+6.75 грн
500+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731U-7 DMN3731U-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0008363727_1-2543186.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 66424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+20.76 грн
25+14.05 грн
100+5.04 грн
1000+3.51 грн
3000+2.75 грн
9000+2.29 грн
24000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731U-7 Виробник : Diodes Zetex dmn3731u.pdf High Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6356+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 6356
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731U-7 Виробник : Diodes Zetex dmn3731u.pdf High Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731U-7 Виробник : Diodes Inc dmn3731u.pdf High Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731U-7 DMN3731U-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3731U.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 700mA; Idm: 3A; 580mW; SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.5nC
On-state resistance: 0.73Ω
Power dissipation: 0.58W
Drain current: 0.7A
Pulsed drain current: 3A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 30V
Case: SOT23
Kind of package: 7 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.