Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3731UFB4-7B
DMN3731UFB4-7B

DMN3731UFB4-7B Diodes Incorporated

DMN3731UFB4.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
на замовлення 660000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.05 грн
30000+2.88 грн
50000+2.59 грн
100000+2.16 грн
250000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3731UFB4-7B Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 520mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: X2-DFN1006-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DMN3731UFB4-7B за ціною від 3.27 грн до 23.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3731UFB4-7B DMN3731UFB4-7B Виробник : Diodes Incorporated DMN3731UFB4.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
на замовлення 668190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+23.46 грн
21+15.57 грн
100+7.60 грн
500+5.95 грн
1000+4.13 грн
2000+3.58 грн
5000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731UFB4-7B DMN3731UFB4-7B Виробник : Diodes Zetex dmn3731ufb4.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.2A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731UFB4-7B Виробник : Diodes Inc dmn3731ufb4.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.2A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731UFB4-7B DMN3731UFB4-7B Виробник : Diodes Incorporated diod-s-a0008534072-1.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3731UFB4-7B Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3731UFB4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 900mA; Idm: 3A; 970mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.9A
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 970mW
Case: X2-DFN1006-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.73Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.5nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.