DMN3732UFB4Q-7B Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40.8 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 3.27 грн |
| 30000+ | 3.09 грн |
| 50000+ | 2.77 грн |
| 100000+ | 2.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3732UFB4Q-7B Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: X2-DFN1006-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40.8 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMN3732UFB4Q-7B за ціною від 2.76 грн до 26.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN3732UFB4Q-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40.8 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 147252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMN3732UFB4Q-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1006-3 T&R 10K |
на замовлення 4652 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|