Продукція > DIODES ZETEX > DMN3900UFA-7B
DMN3900UFA-7B

DMN3900UFA-7B Diodes Zetex

1027dmn3900ufa.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.55A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 740000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3900UFA-7B Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN3900UFA-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 550 mA, 0.4 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 550mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 390mW, Bauform - Transistor: X2-DFN0806, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції DMN3900UFA-7B за ціною від 5.56 грн до 35.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3900UFA-7B DMN3900UFA-7B Виробник : DIODES INC. DIODS20252-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN3900UFA-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 550 mA, 0.4 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 390mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.33 грн
500+11.37 грн
1000+7.20 грн
2500+6.78 грн
5000+6.54 грн
10000+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3900UFA-7B DMN3900UFA-7B Виробник : Diodes Incorporated DMN3900UFA.pdf MOSFETs 30V N-CH MOSFET
на замовлення 16579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.29 грн
26+12.39 грн
100+7.55 грн
500+6.11 грн
1000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3900UFA-7B DMN3900UFA-7B Виробник : DIODES INC. DIODS20252-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN3900UFA-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 550 mA, 0.4 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 550mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+33.69 грн
30+26.89 грн
100+16.33 грн
500+11.37 грн
1000+7.20 грн
2500+6.78 грн
5000+6.54 грн
10000+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3900UFA-7B DMN3900UFA-7B Виробник : Diodes Incorporated DMN3900UFA.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 550MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 390mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42.2 pF @ 25 V
на замовлення 14073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.50 грн
15+20.88 грн
100+13.24 грн
500+9.34 грн
1000+8.34 грн
2000+7.50 грн
5000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3900UFA-7B DMN3900UFA-7B Виробник : Diodes Zetex 1027dmn3900ufa.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.55A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3900UFA-7B DMN3900UFA-7B Виробник : Diodes Zetex 1027dmn3900ufa.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.55A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3900UFA-7B DMN3900UFA-7B Виробник : Diodes Incorporated DMN3900UFA.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 550MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 390mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42.2 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3900UFA-7B Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3900UFA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 520mA; Idm: 2.5A; 390mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.39W
Case: X2-DFN0806-3
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 0.7nC
Drain current: 520mA
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 2.5A
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.