DMN4008LFG-13 Diodes Incorporated


DMN4008LFG.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3537 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN4008LFG-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3537 pF @ 20 V.

Інші пропозиції DMN4008LFG-13 за ціною від 17.44 грн до 84.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN4008LFG-13 DMN4008LFG-13 Diodes Incorporated DMN4008LFG.pdf MOSFETs 40V N-Ch Enh FET 20Vgs 19.2A 74nC
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.87 грн
10+50.95 грн
100+29.19 грн
500+22.79 грн
1000+20.61 грн
3000+17.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4008LFG-13 DMN4008LFG-13 Diodes Incorporated DMN4008LFG.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3537 pF @ 20 V
на замовлення 3350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+51.12 грн
100+33.64 грн
500+24.50 грн
1000+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4008LFG-13 DMN4008LFG.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 40V N-Ch Enh FET 20Vgs 19.2A 74nC
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.87 грн
10+50.95 грн
100+29.19 грн
500+22.79 грн
1000+20.61 грн
3000+17.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4008LFG-13 DMN4008LFG.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3537 pF @ 20 V
на замовлення 3350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.65 грн
10+51.12 грн
100+33.64 грн
500+24.50 грн
1000+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.