Продукція > DIODES ZETEX > DMN4008LFG-7
DMN4008LFG-7

DMN4008LFG-7 Diodes Zetex

dmn4008lfg.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 40V 14.4A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN4008LFG-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN4008LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14.4 A, 5500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMN4008LFG-7 за ціною від 18.94 грн до 86.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN4008LFG-7 DMN4008LFG-7 Виробник : DIODES INC. DMN4008LFG.pdf Description: DIODES INC. - DMN4008LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14.4 A, 5500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.98 грн
500+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4008LFG-7 DMN4008LFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN4008LFG.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3537 pF @ 20 V
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.83 грн
10+50.12 грн
100+33.04 грн
500+24.11 грн
1000+21.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4008LFG-7 DMN4008LFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN4008LFG.pdf MOSFETs 40V N-Ch Enh FET 20Vgs 19.2A 74nC
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+82.77 грн
10+54.45 грн
100+31.23 грн
500+24.74 грн
1000+22.38 грн
2000+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4008LFG-7 DMN4008LFG-7 Виробник : DIODES INC. DMN4008LFG.pdf Description: DIODES INC. - DMN4008LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14.4 A, 5500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+86.53 грн
15+58.00 грн
100+38.98 грн
500+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4008LFG-7 DMN4008LFG-7 Виробник : Diodes Inc dmn4008lfg.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 14.4A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4008LFG-7 DMN4008LFG-7 Виробник : Diodes Zetex dmn4008lfg.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 14.4A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4008LFG-7 DMN4008LFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN4008LFG.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3537 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4008LFG-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN4008LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 15.4A; Idm: 90A; 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 74nC
On-state resistance: 20mΩ
Power dissipation: 2.3W
Drain current: 15.4A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 90A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.