DMN4010LFG-13 DIODES INCORPORATED


DMN4010LFG.pdf Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN4010LFG-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN4010LFG-13 DIODES INCORPORATED

Description: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 930mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 20 V.

Інші пропозиції DMN4010LFG-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN4010LFG-13 DMN4010LFG-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN4010LFG.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 930mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4010LFG-13 DMN4010LFG-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN4010LFG.pdf MOSFETs 40V N-Ch Enh Mode 1810pF 37nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.