DMN4010LFG-7 Diodes Incorporated


DMN4010LFG.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 930mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+14.87 грн
4000+13.13 грн
6000+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN4010LFG-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 930mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 14A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMN4010LFG-7 за ціною від 13.99 грн до 48.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN4010LFG-7 DMN4010LFG-7 Diodes Incorporated DMN4010LFG.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 930mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 20 V
на замовлення 49050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.10 грн
10+37.56 грн
100+26.12 грн
500+19.14 грн
1000+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4010LFG-7 DMN4010LFG-7 Diodes Incorporated DMN4010LFG.pdf MOSFETs 40 N-Ch Enh FET 31V to 99V 1810pF
на замовлення 11606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.08 грн
10+41.33 грн
100+24.97 грн
500+19.48 грн
1000+15.89 грн
2000+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4010LFG-7 DMN4010LFG.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 930mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 20 V
на замовлення 49050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.10 грн
10+37.56 грн
100+26.12 грн
500+19.14 грн
1000+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4010LFG-7 DMN4010LFG.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 40 N-Ch Enh FET 31V to 99V 1810pF
на замовлення 11606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.08 грн
10+41.33 грн
100+24.97 грн
500+19.48 грн
1000+15.89 грн
2000+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.