Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN4010LFG-7
DMN4010LFG-7

DMN4010LFG-7 Diodes Incorporated

DMN4010LFG.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 930mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 20 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+14.96 грн
4000+13.20 грн
6000+12.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN4010LFG-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 930mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 20 V.

Інші пропозиції DMN4010LFG-7 за ціною від 14.64 грн до 50.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN4010LFG-7 DMN4010LFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN4010LFG.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 930mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 20 V
на замовлення 49050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.36 грн
10+37.78 грн
100+26.27 грн
500+19.25 грн
1000+15.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4010LFG-7 DMN4010LFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN4010LFG.pdf MOSFETs 40 N-Ch Enh FET 31V to 99V 1810pF
на замовлення 11606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.30 грн
10+43.23 грн
100+26.12 грн
500+20.38 грн
1000+16.63 грн
2000+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4010LFG-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN4010LFG.pdf DMN4010LFG-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.