Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN4020LFDE-7
DMN4020LFDE-7

DMN4020LFDE-7 Diodes Incorporated

DMN4020LFDE.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6UDFN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.28 грн
6000+11.50 грн
9000+10.97 грн
15000+10.01 грн
21000+9.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN4020LFDE-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6UDFN, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-PowerUDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V.

Інші пропозиції DMN4020LFDE-7 за ціною від 13.72 грн до 48.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN4020LFDE-7 DMN4020LFDE-7 Diodes Incorporated DMN4020LFDE.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 20 V
на замовлення 56722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.82 грн
10+32.09 грн
100+21.30 грн
500+15.25 грн
1000+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4020LFDE-7 DMN4020LFDE-7 Diodes Incorporated DMN4020LFDE.pdf MOSFET FET BVDSS 31V 40V N-Ch 8A 28Vgs 1060pF
на замовлення 5670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4020LFDE-7 DMN4020LFDE.pdf
DMN4020LFDE-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 20 V
на замовлення 56722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+48.82 грн
10+32.09 грн
100+21.30 грн
500+15.25 грн
1000+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4020LFDE-7 DMN4020LFDE.pdf
DMN4020LFDE-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET FET BVDSS 31V 40V N-Ch 8A 28Vgs 1060pF
на замовлення 5670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.