DMN4026SSD-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 19.93 грн |
| 5000+ | 18.68 грн |
| 7500+ | 18.43 грн |
| 12500+ | 17.03 грн |
| 17500+ | 16.87 грн |
| 25000+ | 16.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN4026SSD-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN4026SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 7 A, 7 A, 0.015 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMN4026SSD-13 за ціною від 18.50 грн до 44.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN4026SSD-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN4026SSD-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO Power - Max: 1.3W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Drain to Source Voltage (Vdss): 40V |
на замовлення 44044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN4026SSD-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 40Vdss 20Vgss |
на замовлення 15069 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
DMN4026SSD-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN4026SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 7 A, 7 A, 0.015 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 3490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
DMN4026SSD-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN4026SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 7 A, 7 A, 0.015 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 3490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMN4026SSD-13 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 24.45 грн |
| DMN4026SSD-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Description: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
на замовлення 44044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 44.07 грн |
| 10+ | 29.93 грн |
| 25+ | 26.80 грн |
| 100+ | 21.98 грн |
| 250+ | 20.47 грн |
| 500+ | 19.56 грн |
| 1000+ | 18.50 грн |
| DMN4026SSD-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 40Vdss 20Vgss
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 40Vdss 20Vgss
на замовлення 15069 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMN4026SSD-13 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN4026SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 7 A, 7 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMN4026SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 7 A, 7 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMN4026SSD-13 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN4026SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 7 A, 7 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMN4026SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 7 A, 7 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)