DMN4026SSDQ-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 29.37 грн |
| 5000+ | 26.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN4026SSDQ-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Power - Max: 1.3W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SO.
Інші пропозиції DMN4026SSDQ-13 за ціною від 24.54 грн до 68.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN4026SSDQ-13 | DIODES/ZETEX |
2N-MOSFET 40V 7A 24mΩ 1.3W DMN4026SSDQ-13 Diodes TDMN4026ssdqкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN4026SSDQ-13 | Diodes Incorporated |
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 40Vdss 20Vgss |
на замовлення 3941 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN4026SSDQ-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SOPart Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 1.3W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 12424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| DMN4026SSDQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES/ZETEX
2N-MOSFET 40V 7A 24mΩ 1.3W DMN4026SSDQ-13 Diodes TDMN4026ssdq
кількість в упаковці: 10 шт
2N-MOSFET 40V 7A 24mΩ 1.3W DMN4026SSDQ-13 Diodes TDMN4026ssdq
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 30.28 грн |
| DMN4026SSDQ-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 40Vdss 20Vgss
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 40Vdss 20Vgss
на замовлення 3941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 66.38 грн |
| 10+ | 54.75 грн |
| 100+ | 36.85 грн |
| 500+ | 32.28 грн |
| 1000+ | 25.60 грн |
| 2500+ | 24.75 грн |
| 5000+ | 24.54 грн |
| DMN4026SSDQ-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 68.83 грн |
| 10+ | 59.58 грн |
| 25+ | 56.56 грн |
| 100+ | 43.60 грн |
| 250+ | 40.75 грн |
| 500+ | 36.02 грн |
| 1000+ | 27.97 грн |



