Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN4030LK3-13
DMN4030LK3-13

DMN4030LK3-13 Diodes Incorporated

DIOD_S_A0011937137_1-2543646.pdf Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 40V N-CHANNEL
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.41 грн
10+36.79 грн
100+22.33 грн
500+17.57 грн
1000+17.50 грн
2500+15.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN4030LK3-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 40V 9.4A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.14W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 604 pF @ 20 V.

Інші пропозиції DMN4030LK3-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN4030LK3-13 DMN4030LK3-13 Виробник : Diodes Inc dmn4030lk3.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4030LK3-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN4030LK3.pdf DMN4030LK3-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4030LK3-13 DMN4030LK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN4030LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 9.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 604 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4030LK3-13 DMN4030LK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN4030LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 9.4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 604 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.