DMN4031SSDQ-13 Diodes Incorporated
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 51.49 грн |
| 10+ | 43.76 грн |
| 100+ | 26.39 грн |
| 500+ | 22.00 грн |
| 1000+ | 18.78 грн |
| 2500+ | 16.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN4031SSDQ-13 Diodes Incorporated
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 5.6A; Idm: 40A; 2.6W; SO8, Kind of package: 13 inch reel; tape, Mounting: SMD, Case: SO8, Polarisation: unipolar, Gate charge: 18.6nC, On-state resistance: 50mΩ, Power dissipation: 2.6W, Drain current: 5.6A, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 40A, Drain-source voltage: 40V, Application: automotive industry, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET x2.
Інші пропозиції DMN4031SSDQ-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN4031SSDQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SOIC |
товару немає в наявності |
|
|
|
DMN4031SSDQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SOIC |
товару немає в наявності |
|
 |
DMN4031SSDQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 5.6A; Idm: 40A; 2.6W; SO8 Kind of package: 13 inch reel; tape Mounting: SMD Case: SO8 Polarisation: unipolar Gate charge: 18.6nC On-state resistance: 50mΩ Power dissipation: 2.6W Drain current: 5.6A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 40V Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET x2 |
товару немає в наявності |