на замовлення 4496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 31.77 грн |
| 13+ | 26.69 грн |
| 100+ | 16.18 грн |
| 500+ | 12.67 грн |
| 1000+ | 10.25 грн |
| 3000+ | 8.64 грн |
| 9000+ | 7.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN4035LQ-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 4.6A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 720mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMN4035LQ-7 за ціною від 7.64 грн до 7.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN4035LQ-7 | Виробник : Diodes Inc |
 N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
DMN4035LQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||
 |
DMN4035LQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.7A; Idm: 25A; 1.4W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 3.7A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 1.4W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12.5nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||
 |
DMN4035LQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 40V 4.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 720mW Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
DMN4035LQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 40V 4.6A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 720mW Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
DMN4035LQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.7A; Idm: 25A; 1.4W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 3.7A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 1.4W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12.5nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |