Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN4036LK3-13
DMN4036LK3-13

DMN4036LK3-13 Diodes Incorporated

DMN4036LK3.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 8.5A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 453 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+13.71 грн
5000+12.22 грн
7500+11.72 грн
12500+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN4036LK3-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 40V 8.5A TO252-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 453 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-252-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 12A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMN4036LK3-13 за ціною від 13.87 грн до 64.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN4036LK3-13 DMN4036LK3-13 Diodes Zetex dmn4036lk3.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 8.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4036LK3-13 DMN4036LK3-13 Diodes Incorporated DMN4036LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 8.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 453 pF @ 20 V
на замовлення 46802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.68 грн
11+30.09 грн
100+20.55 грн
500+15.21 грн
1000+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4036LK3-13 DMN4036LK3-13 DIODES INCORPORATED DMN4036LK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 9.4A; 4.12W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 4.12W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+64.73 грн
12+37.92 грн
100+24.29 грн
500+18.79 грн
1000+17.10 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4036LK3-13 DMN4036LK3-13 Diodes Incorporated DMN4036LK3.pdf MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 40V N-CHANNEL
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4036LK3-13 dmn4036lk3.pdf
DMN4036LK3-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 40V 8.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+16.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4036LK3-13 DMN4036LK3.pdf
DMN4036LK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 8.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 453 pF @ 20 V
на замовлення 46802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.68 грн
11+30.09 грн
100+20.55 грн
500+15.21 грн
1000+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4036LK3-13 DMN4036LK3.pdf
DMN4036LK3-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 9.4A; 4.12W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 4.12W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+64.73 грн
12+37.92 грн
100+24.29 грн
500+18.79 грн
1000+17.10 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4036LK3-13 DMN4036LK3.pdf
DMN4036LK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 40V N-CHANNEL
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.