DMN4040SK3-13 Diodes Incorporated


DMN4040SK3.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.71W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V
на замовлення 152500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+13.30 грн
5000+11.72 грн
7500+11.16 грн
12500+9.89 грн
17500+9.54 грн
25000+9.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN4040SK3-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 40V 6A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.71W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V.

Інші пропозиції DMN4040SK3-13 за ціною від 13.67 грн до 55.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN4040SK3-13 DMN4040SK3-13 Diodes Incorporated DMN4040SK3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.71W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V
на замовлення 153674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.02 грн
10+32.91 грн
100+21.22 грн
500+15.19 грн
1000+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4040SK3-13 DMN4040SK3-13 Diodes Incorporated DIODS13197_1-2541721.pdf MOSFETs 40V N-Ch Enh Mode 30mOhm 10V 13.8A
на замовлення 17864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4040SK3-13 DMN4040SK3.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.71W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V
на замовлення 153674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+55.02 грн
10+32.91 грн
100+21.22 грн
500+15.19 грн
1000+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4040SK3-13 DIODS13197_1-2541721.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 40V N-Ch Enh Mode 30mOhm 10V 13.8A
на замовлення 17864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.