DMN4468LSS-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.52W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 10 V
на замовлення 92500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 11.08 грн |
| 5000+ | 9.99 грн |
| 7500+ | 9.40 грн |
| 12500+ | 8.64 грн |
| 17500+ | 8.33 грн |
| 25000+ | 8.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN4468LSS-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN4468LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.95V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.52W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMN4468LSS-13 за ціною від 10.01 грн до 48.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN4468LSS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN4468LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.95V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.52W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN4468LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N CH 30V 10A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.52W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 10 V |
на замовлення 93306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN4468LSS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN4468LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.95V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.52W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN4468LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-CHAN ENHNCMNT MODE |
на замовлення 2507 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN4468LSS-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DMN4468LSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 50A; 1.52W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 9A On-state resistance: 20mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.52W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 18.85nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMN4468LSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 50A; 1.52W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 9A On-state resistance: 20mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.52W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 18.85nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A |
товару немає в наявності |