DMN4800LSS-13 Diodes Incorporated


ds31736.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.46W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.47 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V
на замовлення 645000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN4800LSS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.46W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.47 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V.

Інші пропозиції DMN4800LSS-13 за ціною від 9.56 грн до 36.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN4800LSS-13 DMN4800LSS-13 Diodes Incorporated ds31736.pdf MOSFETs N-CHAN ENHNCMNT MODE
на замовлення 4791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.74 грн
15+21.92 грн
100+13.36 грн
500+12.45 грн
1000+11.18 грн
2500+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4800LSS-13 DMN4800LSS-13 Diodes Incorporated ds31736.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.47 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.46W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 646968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.39 грн
13+23.62 грн
100+16.07 грн
500+11.80 грн
1000+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4800LSS-13 ds31736.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N-CHAN ENHNCMNT MODE
на замовлення 4791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
11+32.74 грн
15+21.92 грн
100+13.36 грн
500+12.45 грн
1000+11.18 грн
2500+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4800LSS-13 ds31736.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.47 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.46W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 646968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+36.39 грн
13+23.62 грн
100+16.07 грн
500+11.80 грн
1000+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.