DMN4800LSS-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.46W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.47 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V
на замовлення 645000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 8.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN4800LSS-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN4800LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.46W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMN4800LSS-13 за ціною від 9.41 грн до 37.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN4800LSS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN4800LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.46W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN4800LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-CHAN ENHNCMNT MODE |
на замовлення 4791 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN4800LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.46W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.47 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V |
на замовлення 646968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN4800LSS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN4800LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.46W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN4800LSS-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-Pin SOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| DMN4800LSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMN4800LSS-13 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |