Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN4800LSSQ-13
DMN4800LSSQ-13

DMN4800LSSQ-13 Diodes Incorporated

DMN4800LSSQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.46W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+12.24 грн
5000+10.89 грн
7500+10.43 грн
12500+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN4800LSSQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.46W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN4800LSSQ-13 за ціною від 11.06 грн до 47.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN4800LSSQ-13 DMN4800LSSQ-13 Diodes Incorporated DMN4800LSSQ.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.46W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 67014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.50 грн
12+27.07 грн
100+18.47 грн
500+13.63 грн
1000+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4800LSSQ-13 DMN4800LSSQ-13 Diodes Incorporated DMN4800LSSQ.pdf MOSFETs 30V N-Ch Enh FET 25Vgs 9A 16mOhm 1.6V
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
7+47.64 грн
10+34.92 грн
100+20.94 грн
500+16.04 грн
1000+14.18 грн
2500+13.21 грн
5000+11.06 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4800LSSQ-13 DMN4800LSSQ-13 DIODES INC. DMN4800LSSQ.pdf Description: DIODES INC. - DMN4800LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.46W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4800LSSQ-13 DMN4800LSSQ-13 DIODES INC. DMN4800LSSQ.pdf Description: DIODES INC. - DMN4800LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.46W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4800LSSQ-13 DMN4800LSSQ.pdf
DMN4800LSSQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.46W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 67014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.50 грн
12+27.07 грн
100+18.47 грн
500+13.63 грн
1000+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4800LSSQ-13 DMN4800LSSQ.pdf
DMN4800LSSQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V N-Ch Enh FET 25Vgs 9A 16mOhm 1.6V
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+47.64 грн
10+34.92 грн
100+20.94 грн
500+16.04 грн
1000+14.18 грн
2500+13.21 грн
5000+11.06 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4800LSSQ-13 DMN4800LSSQ.pdf
DMN4800LSSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN4800LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.46W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4800LSSQ-13 DMN4800LSSQ.pdf
DMN4800LSSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN4800LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.46W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.