Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN52D0LT-13
DMN52D0LT-13

DMN52D0LT-13 Diodes Incorporated

DMN52D0LT.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.68 грн
20000+3.23 грн
30000+3.07 грн
50000+2.71 грн
70000+2.61 грн
100000+2.51 грн
250000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN52D0LT-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-523, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-523, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DMN52D0LT-13 за ціною від 3.62 грн до 21.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN52D0LT-13 DMN52D0LT-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN52D0LT.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
на замовлення 309650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.19 грн
25+12.55 грн
100+7.81 грн
500+5.40 грн
1000+4.78 грн
2000+4.25 грн
5000+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMN52D0LT-13 Виробник : Diodes Zetex dmn52d0lt.pdf 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN52D0LT-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN52D0LT-3103735.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT523 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.