Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN52D0LT-7
DMN52D0LT-7

DMN52D0LT-7 Diodes Incorporated

DMN52D0LT.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
на замовлення 159000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.63 грн
6000+4.13 грн
9000+3.43 грн
30000+3.16 грн
75000+2.84 грн
150000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN52D0LT-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-523, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-523, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DMN52D0LT-7 за ціною від 3.15 грн до 30.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN52D0LT-7 DMN52D0LT-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN52D0LT.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
на замовлення 161965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.72 грн
17+18.15 грн
100+8.87 грн
500+6.94 грн
1000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN52D0LT-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN52D0LT-3103735.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT523 T&R 3K
на замовлення 5740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.15 грн
17+20.38 грн
100+11.20 грн
1000+5.05 грн
3000+4.32 грн
9000+3.37 грн
24000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN52D0LT-7 Виробник : Diodes Zetex dmn52d0lt.pdf 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.